聚焦离子束场发射扫描电子显微镜

主要技术参数：

1.二次电子分辨率：1.0 nm (加速电压30 kV)；2.0 nm (着陆电压1 kV)。电子枪最大束流不小于200 nA。放大倍率：1 – 1000 k。热场发射电子枪加速电压：0.2 - 30 kV。

2.离子枪分辨率：2.5 nm (加速电压30 kV，工作距离9 mm)。离子枪束流：1 pA – 50 nA。离子枪加速电压：500 V - 30 kV。

3.能谱仪探测器：牛津仪器的硅漂移（SDD）电制冷探测器，50 mm²有效面积。

4.配备Ga镓离子源、Pt气体注入系统、TEM样品取出纳米机械手。

应用领域

金属、陶瓷、矿物、半导体等材料的显微形貌、晶体结构和相组织的观察与分析。各种材料微区化学成分的定性和半定量检测。广泛应用于半导体、微电子产业微纳加工；透射电镜样品制备。